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相比于多晶半導(dǎo)體,非晶體系具有諸多優(yōu)勢(shì),如低成本、易加工、高穩(wěn)定性以及大面積制造均勻等。然而,傳統(tǒng)的非晶氫化硅因電學(xué)性能不足而急需探索新材料。
目前非晶P型半導(dǎo)體面臨著重大挑戰(zhàn),嚴(yán)重阻礙了新型電子器件研發(fā)和大規(guī)模N-P互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。傳統(tǒng)氧化物半導(dǎo)體因高局域態(tài)價(jià)帶頂和自補(bǔ)償效應(yīng),導(dǎo)致空穴傳輸效率極差,難以滿(mǎn)足應(yīng)用需求。
万盛娱乐棋牌這一研究成果以《Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors》為題,于北京時(shí)間10日23時(shí)在權(quán)威期刊《Nature》以加速預(yù)覽形式(Accelerated Article Preview)在線發(fā)表。該成果由中國(guó)電子科技大學(xué)和韓國(guó)浦項(xiàng)科技大學(xué)共同合作完成。論文第一單位為電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院,電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院教授劉奧為論文第一作者和通訊作者。
在過(guò)去二十余年里,全球科研人員不斷改進(jìn)和優(yōu)化“價(jià)帶軌道雜化理論”,嘗試實(shí)現(xiàn)高空穴遷移率的P型氧化物基半導(dǎo)體,但收效甚微。這也導(dǎo)致專(zhuān)家普遍認(rèn)為,實(shí)現(xiàn)高性能的非晶P型半導(dǎo)體和CMOS器件是一項(xiàng)“幾乎不可能完成的挑戰(zhàn)”。
科研人員因此投入大量精力開(kāi)發(fā)新型非氧化物P型半導(dǎo)體,但目前這些新材料只能在多晶態(tài)下展現(xiàn)一定的P型特性。此外,這些材料還存在穩(wěn)定性和均勻性等固有缺陷,且難以與現(xiàn)有工業(yè)制程工藝兼容。
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游戲版本 V4.3.1 | 大小 93.63M |
系統(tǒng)要求 安卓6.5 | 更新時(shí)間 2024-09-25 02:10:27 |
語(yǔ)言 中文 | 開(kāi)發(fā)商 |
適齡范圍 12+ |
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